РФЯЦ-ВНИИТФ является одним из ключевых предприятий ГК «Росатом», решающим научно-технические задачи, связанные с разработкой, обеспечением надёжности и безопасности ядерного оружия РФ. Самое современное оснащение, богатейший научный потенциал и уникальный опыт РФЯЦ-ВНИИТФ в настоящее время позволяет успешно решать сложные задачи в интересах не только оборонной промышленности, но и в гражданской сфере.

В частности, обладая более чем двадцатилетним опытом работы в области выращивания гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии на основе соединений GaN и GaAs, предлагаем Вам рассмотреть вопрос о сотрудничестве по данному направлению работ.

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Производственные и технологические возможности РФЯЦ-ВНИИТФ

GaN

•          Технология выращивания гетероструктур на сапфировых подложках для ярких светодиодов  массовой группы производства с длиной волны излучения 450-520 нм.

•          Разработка и производство гетероструктур GaN для изготовления гетероструктур высокомощных СВЧ и силовых транзисторов.

•          Производственная мощность установки по выращиванию гетероструктур на основе соединений GaN составляет более двухсот подложек диаметром 2" в месяц. Установка МОС-гидридной эпитаксии позволяет выращивать слои: GaN n- и p-типа проводимости, AlGaN с молярной долей Al от 0 до 30%, InGaN с молярной долей In от 0 до 20%.

GaAs

•          Технология выращивания гетероструктур для полупроводниковых лазеров высокой мощности.

•          Технология выращивания гетероструктур для полупроводниковых преобразователей давления и температуры (Изготовленные из гетероструктур преобразователи давления и температуры были апробированы на датчике давления (ДД) РДГ2015. ДД с преобразователем, изготовленным по технологии РФЯЦ-ВНИИТФ, имеют чувствительность в 10 раз выше, чем у представленных  на рынке импортных аналогов) 

•          Разработка и производство гетероструктур на основе соединений GaAs для полевых и биполярных мощных СВЧ и силовых транзисторов, диодов Шоттки, фотодетекторов и т.д.

•          Производственная мощность установки по выращиванию соединений GaAs составляет до 160 шт. подложек диаметром 4" в месяц. Установка МОС-гидридной эпитаксии позволяет выращивать слои GaAs n- и p-типа проводимости, AlGaAs с молярной долей Al от 0 до 99%, InGaAs с молярной долей In от 0 до 30%.

Установки МОС-гидридной эпитаксии снабжены программно-аппаратными комплексами рефлектометрического типа, а также регенерируемыми системами очистки для транспортируемых в установку газов, обеспечивающих их чистоту на уровне 1 ppb.

Комплекс диагностического и исследовательского оборудования:

•          высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия;

•          картограф фотолюминесцентный;

•          установка измерения методом эффекта Холла;

•          установка электрохимической CV- профилометрии

Контакты:

e-mail: vniitf@vniitf.ru c пометкой «для отдела маркетинга»

Заместитель директора
Румянцев Юрий Владимирович
 8 351 907-74-58
8 (35146) 5-24-19

По техническим вопросам: Фомин Алексей Васильевич, начальник отдела, к.т.н.

Тел. (35146) 6-21-80, email: a.v.fomin@vniitf.ru