Бизнес

Яндекс.Метрика

Исследовательские реакторы и установки - ПРОЧЕЕ

Содержание материала

ПРОЧЕЕ

Результаты исследований на комплексе этих установок используются для расчетов многих технических устройств, в том числе для расчетов взрывных камер, использующих химические взрывчатые вещества для получения искусственных алмазов, расчетов развития атмосферных течений и течений в мировом океане с целью изучения переноса экологически опасных веществ.

Ударная труба для изучения
физики турбулентного
перемешивания в сжимаемых средах

Установка для исследования
управляемого
термоядерного синтеза

При проведении исследований по физике высоких плотностей энергии, физике плазмы и лазерному термоядерному синтезу, а также исследований лазерных сред, впервые в мире запущен ультрафиолетовый лазер с ядерной накачкой (ЛЯН), открыт эффект влияния теплового перегрева на характеристики ЛЯН, открыты 4 новых лазерных среды, получена лазерная генерация на 6-ти новых переходах атомов и ионов. В настоящее время ведутся разработки в области твердотельных лазеров с диодной накачкой. Создана уникальная физическая установка на базе первого в России гигаваттного частотного твердотельного лазера с диодной накачкой.

В дальнейшем планируется создание мощных эффективных лазерно-реакторных устройств для их применения в народном хозяйстве и военном деле.

 

Установка для исследований лазеров с ядерной накачкой

Многие результаты исследований внедрены в гражданскую экономику России. Создан и успешно функционирует Центр нейтронной терапии для лечения ряда онкозаболеваний. В последние годы активно развивается направление, связанное с разработкой и производством специального оптоволокона и оптоволокна для систем связи (многомодовое и одномодовое оптоволокно, лазерное оптоволокно). Разрабатывается технология производства сверхярких светодиодов (светодиоды для светофоров, полноцветных экранов, источников белого освещения).

С 1996 года во ВНИИТФ, совместно с ФИАН им. П.Н. Лебедева, реализуется программа развития технологии выращивания полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур. Первой практической задачи явилось освоение технологии производства полупроводниковых структур для сверхярких светодиодов, хотя возможности технологии существенно шире и включают в себя:

  • квантово-размерные лазерные гетероструктуры для всех типов полупроводниковых лазерных диодов;
  • гетероструктуры для высокоэффективных радиационно-стойких солнечных элементов космического базирования;
  • инфракрасные фотоприемные гетероструктуры;
  • нитридные и карбид-кремниевые полупроводниковые структуры для высокотемпературных и радиационно-стойких микросхем.
Пультовая. Идет процесс выращивания гетероструктуры МОС-гидридный реактор AIXTRON

Электролюминесценция
сапфировой подложки
с полупроводниковой
квантоворазмерной гетероструктурой типа
InGaN